目前，國外廠商生產的傳送器中使用的MEMS壓力變感器主要有壓阻式和電容式2種結構，以壓阻式結構居多。西門子公司DSm系列壓力變送器就是采用壓阻式結構的壓力傳感器。美國羅斯蒙特公司3o51系列壓力變送器的傳感器芯片也是壓阻式結構。壓阻式傳感器應用非常廣泛。國內很多廠商依靠進口壓阻式傳感器，設汁制造國產變送器。壓阻式傳感器技術成熟，很適合國產化研制。但是，壓阻式傳感器容易受溫度、濕度等環境因素影響，而且，靜壓特性依賴工藝水平，無法得到保證。這兩大難點限制了國產壓阻式傳感器的測量精度和穩定性。

　　以富士公司為代表的少數企業生產了以硅電容傳感器為核心的壓力變送器。電容式壓力傳感器具有精度高、*穩定性好的優點，但是，它對生產工藝要求高，加工難度大。國內從事硅電容壓力傳感器的研究可以說是剛剛起步。盡管國內已經有單位研制出了硅電容傳感器它的精度和靜壓特性已接近富士公司產品的平均水平，但在*穩定性方面，差距較大。同時，國內的電容傳感器在高差壓和微差壓規格的開發上仍有較大差距。國外壓阻式傳感器精度可以達到0.075%，而國內研制的壓阻式傳感器的精度只有0.1%。在*穩定性能上，國產傳感器和進口傳感器的差距更為明顯。國產產品*穩定性的指標為0.1%/年，比國外產品至少高2倍。另外，國產產品的溫度特性差。與國外產品相比，溫度漂移比國外產品的典型值大50%～100%。此外，國產產品的規格品種不夠全，在微差壓和高差壓、高靜壓規格方面沒有成熟的產品，不能滿足某些工藝的特殊要求。

　　壓力傳感器的國產化問題的關鍵主要是如何提高傳感器的*穩定性。傳感器的*穩定性和傳感器的材料選擇、結構設計、加工工藝密切相關。我國在MEMS加工工藝上還處于相對落后階段，提高工藝水平無疑是提高傳感器性能的長遠之計。

　　目前，國內相關高校和科研院所對壓阻式和電容式MEMS傳感器進行了大量的研究，在理論和工藝水平上都取得了一批成果。就當前工藝水平而言，如果能夠實現某種形式的補償或者在線的自標定方法，則有可能在短期內提高傳感器的*穩定性，使國產傳感器在穩定性指標上滿足石化行業需求。因此，在國內MEMS研究的基礎上，通過科研院所和工廠的協同合作，共同努力，*可以實現石化行業所需壓力變送器的國產化。

目前，國外廠商生產的傳送器中使用的MEMS壓力變感器主要有壓阻式和電容式2種結構，以壓阻式結構居多。西門子公司DSm系列壓力變送器就是采用壓阻式結構的壓力傳感器。美國羅斯蒙特公司3o51系列壓力變送器的傳感器芯片也是壓阻式結構。壓阻式傳感器應用非常廣泛。國內很多廠商依靠進口壓阻式傳感器，設汁制造國產變送器。壓阻式傳感器技術成熟，很適合國產化研制。但是，壓阻式傳感器容易受溫度、濕度等環境因素影響，而且，靜壓特性依賴工藝水平，無法得到保證。這兩大難點限制了國產壓阻式傳感器的測量精度和穩定性。

　　以富士公司為代表的少數企業生產了以硅電容傳感器為核心的壓力變送器。電容式壓力傳感器具有精度高、*穩定性好的優點，但是，它對生產工藝要求高，加工難度大。國內從事硅電容壓力傳感器的研究可以說是剛剛起步。盡管國內已經有單位研制出了硅電容傳感器它的精度和靜壓特性已接近富士公司產品的平均水平，但在*穩定性方面，差距較大。同時，國內的電容傳感器在高差壓和微差壓規格的開發上仍有較大差距。國外壓阻式傳感器精度可以達到0.075%，而國內研制的壓阻式傳感器的精度只有0.1%。在*穩定性能上，國產傳感器和進口傳感器的差距更為明顯。國產產品*穩定性的指標為0.1%/年，比國外產品至少高2倍。另外，國產產品的溫度特性差。與國外產品相比，溫度漂移比國外產品的典型值大50%～100%。此外，國產產品的規格品種不夠全，在微差壓和高差壓、高靜壓規格方面沒有成熟的產品，不能滿足某些工藝的特殊要求。

　　壓力傳感器的國產化問題的關鍵主要是如何提高傳感器的*穩定性。傳感器的*穩定性和傳感器的材料選擇、結構設計、加工工藝密切相關。我國在MEMS加工工藝上還處于相對落后階段，提高工藝水平無疑是提高傳感器性能的長遠之計。

　　目前，國內相關高校和科研院所對壓阻式和電容式MEMS傳感器進行了大量的研究，在理論和工藝水平上都取得了一批成果。就當前工藝水平而言，如果能夠實現某種形式的補償或者在線的自標定方法，則有可能在短期內提高傳感器的*穩定性，使國產傳感器在穩定性指標上滿足石化行業需求。因此，在國內MEMS研究的基礎上，通過科研院所和工廠的協同合作，共同努力，*可以實現石化行業所需壓力變送器的國產化。